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NM27C512QE150

524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM

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  • Incapsulamento: DIP-28
  • Marca: National Semiconductor
  • Serie: -
  • Confezione: Tube
  • Stato della parte: Obsolete
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Memory Format: EPROM
  • Tecnologia: EPROM - UV
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Write Cycle Time - Word, Page: -
  • Tempo di accesso: 150ns
  • Memory Interface: Parallel
  • Tensione - Fornitura: 4.5 V ~ 5.5 V
  • Range Di Temperatura Di Lavoro: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / caso: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-CDIP

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NM27C512QE150

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EPROM - UV Memory IC 512Kb (64K x 8) Parallel 150ns 28-CDIP

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